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业界最尖端20纳米4GbDDR3实现量产万芳

发布时间:2020-02-14 11:15:03 阅读: 来源:压缩机厂家

业界最尖端20纳米4Gb DDR3实现量产 - 单片机/处理器 - 电子工程网

世界最小型4Gb DDR3 DRAM

“改良版双重照片曝光技术 (Modified Double Patterning)”仅利用现有的光刻机设备即可生产20纳米DDR3,而且更为下一代10纳米级DRAM的量产做了核心技术储备,为半导体制程技术建立了一个新的里程碑。同时,电容器单元的介电层不仅超薄,而且前所未有的排列均衡,确保了基本存储单元的优越性能。

在这些新技术的基础上,新一代20纳米DDR3 DRAM的生产率比25纳米DDR3提高了30%以上,更比30纳米级DDR3提高了超过一倍。同时,基于20纳米的DDR3 DRAM模组的耗电量同比基于25纳米的DDR3降低了25%,将为全球IT企业提供最优质的“超节能绿色IT方案”。

三星电子存储芯片事业部战略营销部门负责人全永铉副总裁表示:“三星电子的新一代超节能型20纳米DDR3内存将在包括电脑和移动市场在内的IT领域迅速站稳脚跟,并进一步占据主流地位。今后,三星电子将继续领先竞争对手推出下一代大容量DRAM和绿色存储方案,与全球客户携手为世界IT市场的快速增长做出贡献。”

未来,三星电子将致力于研发10纳米级的新一代DRAM产品,突破半导体技术的瓶颈,持续推进存储器市场的发展。

据市场调研机构Gartner预测,2014年全球DRAM市场产值将由2013年的356亿美元增长至379亿美元。

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